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    雪崩光敏二極管有哪些優勢
    作者: 編輯: 來源: 發布日期: 2021.01.09
    信息摘要:
    在對光信號要求較高的各種應用場合,如光纖通信、閃爍(citillaTIo)檢測等,經常看到雪崩光敏二極管(APD)的身影。通常APD的測量包…
      在對光信號要求較高的各種應用場合,如光纖通信、閃爍(scintillaTIon)檢測等,經常看到雪崩光敏二極管(APD)的身影。通常APD的測量包括擊穿電壓,響應度,反向偏置電流等。那這種雪崩光敏二極管有哪些優勢呢?
      雪崩光敏二極管由于其體積小、無需高壓電源等優點,因此更適合于實際應用;雪崩光敏二極管與一般半導體光敏二極管相比,具有靈敏度高、速度快等優點,特別是當系統帶寬較大時,可使系統的檢測性能得到較大提高。
      如果半導體二極管加上足夠高的反向偏壓,那么在耗盡層中移動的載流子就會由于碰撞電離效應而引起雪崩倍增。這種現象最初是在研究半導體二極管的反向擊穿機制時發現的。在載流子崩增益很高時,二極管進入雪崩擊穿狀態;在此之前,只要耗盡層中的電場足夠大,就可以產生一個平均雪崩倍增值,條件是耗盡層中的載流子產生了碰撞電離。
      撞擊-離子化效應也會導致光生載流子崩塌倍增,使得半導體光敏二極管內部有光敏流增益。如果外部偏壓非常接近物體的擊穿電壓,二極管就能獲得很高的光敏流增益。在任何小的局部區域預先擊穿PN結,都會限制二極管的使用,因此,只有當一個實際器件在整個PN結表面上非常均勻時,才能獲得很高的平均光敏流增益。
      所以就工作狀態而言,雪崩光敏二極管實際上是在接近(但沒有達到)雪崩擊穿狀態時工作的,高度均勻的半導體光敏二極管。

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